Самодельное устройство на микроконтроллере - МОЩНЫЙ БЛОК ПИТАНИЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Источники питания

Часто собирая какую нибудь электронную конструкцию,как то, усилитель звуковой частоты,средства автоматики,устройства на базе микроконтроллеров,и многое другое,мы задаемся вопросом а чем питать аппаратуру? Радиоэлектронные устройства в большинстве своем питаются постоянным напряжением отличным от напряжения сети.

Блок питания: импульсный или трансформаторный? Разбираем преимущества и недостатки

Как изготовить не сложный электронный модуль управления питанием для самодельного робота. Схемы контроллера питания для электроники и Raspberry Pi, силовых MOSFET-ключей для управления питанием различных блоков, а также конвертера сигналов для управления двигателями через микросхему L Мои эксперименты и готовые решения. Полезные рекомендации по подбору аккумуляторной батареи, расчеты потребления тока и много другой полезной информации.

Импульсный блок питания 250 Ватт
Лабораторный блок питания с управлением от микроконтроллера
Мощный блок питания на микросхеме LM317 и транзисторе КТ818 (2-30V)
Простой БП для трансивера
Схемы самоблокировки питания для микроконтроллеров
Самодельный блок питания на MOSFET транзисторе
ЛАБОРАТОРНЫЙ БП С ИНДИКАЦИЕЙ НА МИКРОКОНТРОЛЛЕРЕ
Простой мощный импульсный блок питания для питания радио электро-аппаратуры

О двух вариантах исполнения: на биполярных и полевых транзисторах. К слову сказать, именно тот конструктив был позже переделан на новую элементную базу и об этом будет рассказано в самом конце. Было решено не уходить от наработанного опыта и использовать то, что было недорого и рядом. Главное в источнике питания - это трансформатор и силовые транзисторы. Порывшись в заначке были найдены пара подходящих трансформаторов ТПП с общей габаритной мощностью ватт Они прекрасно влазили в имеющуюся коробку из той же заначки , поэтому решено было сразу их ставить два - чего уж мелочиться!

В предыдущей статье мы рассматривали схемы ЗУ с использованием в качестве силового ключа мощные p-n-p или n-p-n транзисторы. Они позволяли получить достаточно большой ток при небольшом количестве радиодеталей, но у используемых биполярных транзисторов имеется существенный недостаток…. Гораздо экономичней вместо биполярных транзисторов устанавливать силовые МОП MOSFET транзисторы, которые при тех же токах имеют гораздо меньшее в 5 раз падение напряжения на открытом переходе сток-исток. Проще всего вместо силового p-n-p транзистора установить мощный p-канальный полевой транзистор, ограничив с помощью дополнительного стабилитрона напряжение между истоком и затвором на уровне 15В. Параллельно стабилитрону подключается резистор сопротивлением около 1 кОм для быстрой разрядки ёмкости затвор-исток. Гораздо более распространены и доступней силовые n- канальные МОП транзисторы, но принципиальная схема устройства с такими транзисторами несколько усложняется, так как для полного открытия канала сток-исток на затвор необходимо подать напряжение на 15 В выше напряжения силовой части.

Похожие статьи